关于举办“先进电子陶瓷封装组装与连接技术”高级研修班的通知
各有关单位:
电子陶瓷封装技术是支撑AI算力芯片、5G/6G通信模块、车规级功率半导体、航空航天电子等关键领域发展的核心基石。
当前,LTCC/HTCC多层基板及陶瓷-金属封接等技术在共烧翘曲、通孔填充一致性、尺寸精度失控、化学镀层缺陷、金属化附着力波动、封接界面开裂、可靠性测试“假失效”等方面的工程挑战日益突出,成为制约产品良率和交付的“卡脖子”环节。随着AI算力芯片、车规级SiC模块、5G/6G毫米波等应用场景对封装集成度、高温可靠性、低损耗介质的极致追求,陶瓷封装技术正面临性能升级与工艺突破的双重压力。
为落实“十五五”规划及2035年远景目标部署,加快集成电路产业核心技术人才的培养,中国电子质量管理协会决定于2026年10月在南京举办“先进电子陶瓷封装组装与连接技术高级研修班”(执行中电质协《2026年度质量管理技术培训计划》第14项,见附件2),会议组织工作委托中科煜德信(北京)科技发展有限公司具体承办。现诚挚邀请贵单位派员参加,并将相关事宜通知如下:
一、主办与承办协办单位
主办单位:中国电子质量管理协会
承办单位:中科煜德信(北京)科技发展有限公司
协办单位:国芯在线(深圳)信息技术有限公司
二、培训对象
科研院所及微电子、半导体、功率模块、光通信等领域企业的研发工程师、工艺工程师、质量与可靠性工程师。
三、课程概要
本课程聚焦LTCC/HTCC工艺痛点和陶瓷-金属连接失效分析,以产线真实案例为载体,注重解决实际问题,具有较强的实践性和针对性。
四、课程大纲(共计2天,12-14课时)
(一)第一天 LTCC/HTCC工艺技术与评价(陈老师)
1、LTCC/HTCC前段工艺——从生瓷流延到烧结(上午)
模块一:LTCC vs HTCC技术选型与工艺差异
LTCC与HTCC的工艺对比(氧化铝/氮化铝材料体系、加工特点、优劣势和应用场景等);LTCC全金系、混合系和全银系等工艺方案设计;技术选型的决策逻辑与工程考量。
模块二:生瓷片流延与金属化——质量控制关键点
LTCC/HTCC生瓷片加工全套工序(生瓷片流延、微孔成型、通孔金属化填充和图形化印刷);生瓷片形变量控制方法;如何实现高质量的微通孔;孔内如何实现密实填充和填孔高度控制;微细线条高精度印刷和膜厚均匀性控制。案例:LTCC/HTCC微孔成型与填充、微细线条高精度印刷一致性问题——提升工艺质量控制点的方法。
模块三:生瓷片腔体成型与叠层——叠层精度控制
LTCC/HTCC生瓷片腔体成型与叠层控制方法;如何实现高精度的叠层;案例:HTCC叠层分层、开裂、腔体变形、腔底不平整等工艺难题——提升腔体成型质量的有效解决措施。
模块四:LTCC/HTCC烧结工艺——翘曲、收缩与批次一致性
LTCC/HTCC烧结工艺的区别;影响共烧翘曲和开裂的因素分析(生坯密度分布、瓷体厚度、通孔排布密度、金属导体立体分布等);批次一致性控制方法;案例:某型号LTCC基板翘曲超标的工艺调整方案。
2、 LTCC/HTCC后段工艺:从钎焊、镀覆与工艺评价(下午)
模块五:LTCC/HTCC陶瓷与金属的钎焊连接——焊接与气密性
LTCC/HTCC陶瓷与金属钎焊原理与区别;钎焊工艺方法与夹具设计;案例:某批次HTCC管壳钎焊漏气问题的原因排查与解决措施。
模块六:表面镀覆工艺ENEPIG/ENIG——从工艺原理到缺陷控制
LTCC/HTCC镀覆ENEPIG和ENIG工艺原理与选型;如何实现低成本表面镀覆工艺要求;金属导体烧结形貌对镀层质量的直接影响;金层渗镀和金层漏镀等工艺缺陷的控制方法与解决措施;案例:某批次HTCC基板ENEPIG渗镀问题的原因排查与解决措施。
模块七:LTCC/HTCC热切与划片——崩边与裂纹的工程解决
生瓷热切与熟瓷划片的工艺方案对比;影响划片质量的关键因素(砂轮粒度、进给速度、主轴转速等);背面崩边与切割面裂纹的根因分析与参数优化;案例:通过理论分析与实验对比优化划片工艺。
模块八:LTCC/HTCC 工艺评价与未来发展趋势
LTCC/HTCC产品工艺评价具体方法;LTCC低成本化(材料体系国产化、银基导体、铜基导体);TCV高密度布孔与布线(HTCC微孔、线宽/线距100μm→80μm→50μm→30μm);AI算力芯片、光通信高散热封装需求(高导热HTCC陶瓷(AlN)的研制与产业化);异质异构三维堆叠SiP陶瓷封装的机遇与挑战。
(二)第二天 陶瓷-金属连接技术与可靠性工程 (林老师)
1、封接界面失效与缺陷诊断(上午)
模块九:陶瓷-金属连接的“基因病”——热膨胀失配与残余应力
CTE失配的本质——不同材料组合的工程适配性分析;残余应力的工程估算方法;案例:石英玻璃与钢材焊接——CTE相差多个量级,通过中间层设计与工艺优化,成功研制全球最大“石英玻璃-钢”焊接光窗并实现自主可控。
模块十:玻璃封接气密性与失效分析
金属预氧化的“黄金窗口”——氧化太薄玻璃不润湿,氧化太厚氧化层剥落;气泡的三大来源与消除策略;案例:某光窗组件氦漏率超标的排查与解决。
模块十一:活性钎焊——工艺窗口与界面控制
Ag基、Au/Pd基、Cu基、Ni基活性钎料体系的选型决策;活性钎焊三大工艺陷阱——活性元素分布不均匀、界面反应层过厚导致脆断、真空度不足导致氧化;案例:AgCuTi钎料中Ti含量从1.25wt.%提高到3wt.%,接头强度反而下降40%——脆性相(Fe₂Ti、TiC)的生成与抑制。
2、陶瓷组装与连接前沿技术、失效诊断与交流(下午)
模块十二:前沿连接技术——原位强化与低温连接高温使用
原位强化技术:利用界面原位反应生成TiB陶瓷晶须,实现应力缓解+界面强化——该技术已成功应用于低温潜液泵电气贯穿接头制造,填补国内空白;低温连接高温使用技术:利用碳缺位高活性,在较低温度下实现连接,通过缺位扩散获得无界面均质接头。
模块十三:陶瓷-金属接头失效模式与可靠性“假失效”
四大典型失效模式——陶瓷侧开裂、界面脆断、金属侧延性断裂、疲劳失效;SAM(声扫显微镜)判读陷阱——声影区与真实分层的区分方法;气密性测试争议——细检漏与粗检漏判读标准不一致时的仲裁方法;案例:某批次陶瓷管壳器件GJB548温循后“失效”40%,退回后复测大部分合格——如何避免“被失效”。
模块十四:产业化实践经验互动研讨交流
从学员提交的问题中选取代表性痛点,两位专家现场诊断,给出排查路径与解决方案建议。
五、授课专家简介
六、会议安排
1.培训时间:2026年10月23日-24日(共2天)
报到时间:2026年10月22日(全天)
2.培训地点:南京(具体会议地址报名后另行通知)
3.培训费用:3680.00元/人(含培训费、资料费、证书费、会议午餐费)。住宿自行安排,费用自理。
4.付款方式:签到现场可以支付宝、微信或者刷卡支付,电汇的单位,请汇到以下账户:
账户名:中科煜德信(北京)科技发展有限公司
开户行:北京农商银行天通苑东区支行
账号:0620000103000000942
行号:402100007237
七、证书
完成全部课程学习后进行考核,合格者将颁发中国电子质量管理协会统一印制的《集成电路专业技术之先进电子陶瓷封装组装与连接技术培训合格证书》。可在协会官网查询(https://www.cqae.org.cn)。
八、报名方式
请于2026年10月20日前将参会回执表(见附件1)发送至会务组。
📢 在线报名:点击“我要报名”,请于2026年10月20日17:00前将参会回执表发送至会务组。
1、请致电:吕乃昌,13851870840
2、扫描二维码,微信沟通。说明姓名、单位名称

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附件:2026年度质量管理技术培训计划
序号 培训课题 培训时间 地点 预计课时
01 军队装备竞争性采购新政与招投标合规性管控应对策略 3月26-27日 无锡 2天
02 装备科研采购概算计价、定价议价及目标成本管控 4月16-17日 成都 2天
03 型号项目研制过程的技术和质量管理体系构建 5月 南京 2天
04 寿命试验、高加速寿命试验及可靠性数据统计分析实操技术 6月 南京 2天
05 军工电子装联技术及工艺质量保证与归零管理 7月 青岛 2天
06 微波组件系统微组装与封装技术 4月23-25日 北京 2天
07 三维集成与异质集成系统设计与制造技术 5月 南京 2天
08 国防科研项目研制及生产的计划调度管理 9月 北京 2天
09 电磁场仿真工具的高效高精度使用方法 10月 成都 2天
10 军用软件工程化管理 11月 杭州 2天
11 《ISO 9001:2025新版标准转版及内审员实战培训班》(注:根据ISO 9001修订周期预测,2026年可能发布新版,届时将组织重点解读) 待定 待定 待定
12 军队装备竞争性采购合规性管控应对策略 7月 成都 1天
13 军队装备研制与国防科研项目技术质量价格成本管控 9月 北京 2天
14 先进电子陶瓷封装组装与连接技术 10月 南京 2天