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当前位置： 首页 > 产品目录 > 三极管 / MOS管 / 晶体管 > IGBT管 / 模块/PIM模块
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符合条件产品：共60件
IGBT 模块CSGPFS600R08BF 国产
型号： CSGPFS600R08BF
品牌： 国科赛思(北京)科技有限公司
封装： HybridPACK Drive
描述： 请联系销售人员获取有关包装尺寸和可用性的信息
基础参数
Vces (V)@Tvj=25°C： 750
Ic(A)@Tc=100°C： 600
Vcesat,typ(V)@Tvj=25°C： 5.9
Eon(mJ)@Tvj=25°C： 15
Eoff(mJ)@Tvj=25°C： 43
封装形式： HybridPACK Drive
IGBT 模块CSGHFS600R08B 国产
型号： CSGHFS600R08B
品牌： 国科赛思(北京)科技有限公司
封装： HP1 DC6i
描述： 请联系销售人员获取有关包装尺寸和可用性的信息
基础参数
Vces (V)@Tvj=25°C： 750
Ic(A)@Tc=100°C： 600
Vcesat,typ(V)@Tvj=25°C： 1.46
Eon(mJ)@Tvj=25°C： 9
Eoff(mJ)@Tvj=25°C： 30
封装形式： HP1 DC6i
IGBT 模块CSGHFS400R12B 国产
型号： CSGHFS400R12B
品牌： 国科赛思(北京)科技有限公司
封装： HP1 DC6i
描述： 请联系销售人员获取有关包装尺寸和可用性的信息
基础参数
Vces (V)@Tvj=25°C： 750
Ic(A)@Tc=100°C： 400
Vcesat,typ(V)@Tvj=25°C： 1.35
Eon(mJ)@Tvj=25°C： 6.4
Eoff(mJ)@Tvj=25°C： 17.7
封装形式： HP1 DC6i
IGBT 模块CSGHFS400R08N 国产
型号： CSGHFS400R08N
品牌： 国科赛思(北京)科技有限公司
封装： HP1
描述： 请联系销售人员获取有关包装尺寸和可用性的信息
基础参数
Vces (V)@Tvj=25°C： 750
Ic(A)@Tc=100°C： 400
Vcesat,typ(V)@Tvj=25°C： 1.34
Eon(mJ)@Tvj=25°C： 4.5
Eoff(mJ)@Tvj=25°C： 20
封装形式： HP1
IGBT 模块CSGHFS300R08B 国产
型号： CSGHFS300R08B
品牌： 国科赛思(北京)科技有限公司
封装： HP1 DC6i
描述： 请联系销售人员获取有关包装尺寸和可用性的信息
基础参数
Vces (V)@Tvj=25°C： 750
Ic(A)@Tc=100°C： 300
Vcesat,typ(V)@Tvj=25°C： 1.55
Eon(mJ)@Tvj=25°C： 2.7
Eoff(mJ)@Tvj=25°C： 9.4
封装形式： HP1 DC6i
IGBT 模块CSGXF3L450R07NF 国产
型号： CSGXF3L450R07NF
品牌： 国科赛思(北京)科技有限公司
封装： 三电平模块
描述： 请联系销售人员获取有关包装尺寸和可用性的信息
基础参数
Vces (V)@Tvj=25°C： 650/450
Ic(A)@Tc=100°C： 450
Vcesat,typ(V)@Tvj=25°C： 1.6
Eon(mJ)@Tvj=25°C： 4.7
Eoff(mJ)@Tvj=25°C： 2.6
封装形式： 三电平模块
IGBT 内绝缘单管CSBE75N120DSFX 国产
型号： CSBE75N120DSFX
品牌： 国科赛思(北京)科技有限公司
封装： TO-247-3L-Plus-AI
描述： 请联系销售人员获取有关包装尺寸和可用性的信息
基础参数
Vces (V)@Tvj=25°C： 1200
Ic(A)@Tc=100°C： 75
Vcesat,typ(V)@Tvj=25°C： 1.64
Eon(mJ)@Tvj=25°C： 16.25
Eoff(mJ)@Tvj=25°C： 11.76
封装形式： TO-247-3L-Plus-AI
IGBT 内绝缘单管CSBK50N120FSFX 国产
型号： CSBK50N120FSFX
品牌： 国科赛思(北京)科技有限公司
封装： TO-247-3L-AI
描述： 请联系销售人员获取有关包装尺寸和可用性的信息
基础参数
Vces (V)@Tvj=25°C： 1200
Ic(A)@Tc=100°C： 50
Vcesat,typ(V)@Tvj=25°C： 1.83
Eon(mJ)@Tvj=25°C： 8.58
Eoff(mJ)@Tvj=25°C： 5.85
封装形式： TO-247-3L-AI
IGBT 内绝缘单管CSBK40N120KSY 国产
型号： CSBK40N120KSY
品牌： 国科赛思(北京)科技有限公司
封装： TO-247-3L-AI
描述： 请联系销售人员获取有关包装尺寸和可用性的信息
基础参数
Vces (V)@Tvj=25°C： 1200
Ic(A)@Tc=100°C： 40
Vcesat,typ(V)@Tvj=25°C： 1.68
Eon(mJ)@Tvj=25°C： 3.99
Eoff(mJ)@Tvj=25°C： 3.27
封装形式： TO-247-3L-AI
IGBT 内绝缘单管CSBK25N120ESFY 国产
型号： CSBK25N120ESFY
品牌： 国科赛思(北京)科技有限公司
封装： TO-247-3L-AI
描述： 请联系销售人员获取有关包装尺寸和可用性的信息
基础参数
Vces (V)@Tvj=25°C： 1200
Ic(A)@Tc=100°C： 25
Vcesat,typ(V)@Tvj=25°C： 1.7
Eon(mJ)@Tvj=25°C： 0.67
Eoff(mJ)@Tvj=25°C： 1.25
封装形式： TO-247-3L-AI