国芯在线:聚焦国产替代,打造一站式电子元器件选型与采购平台,收录5万多个Pin to pin 国产替代进口型号
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价格 新品
符合条件产品:共10
型号: INIT-Pt200
品牌: 江苏英尼特智能科技有限公司
封装: 请联系销售人员获取有关包装尺寸和可用性的信息。
描述: INIT-Pt系列铂薄膜热敏电阻器(简称铂电阻)是英尼特研制且100%国产化的温度测量元件。产品采用薄膜制备技术将铂沉积在Al2O3陶瓷基底上,经过光刻、离子束刻蚀和激光调阻工艺形成高精度的感温电阻膜层。通过表面包封、引线焊接和焊点包封等工艺最终制作而成。产品具有精度高、体积小、抗振动能力强、工作可靠等特点,谱系化产品可实现 -196℃~850℃宽温区温度测量。
基础参数
测量范围/℃: 70~850
标称阻值/Ω: 200
外形尺寸A×B×C / mm: 4×2×1.3
阻值 精度: ±4.5K@0℃ ±7.5@500℃ ±12.7@850℃
引线 / mm: Pt Ø0.25
响应时间/s: 0.5
激励电流/mA: 0.1~1(需考虑自热)
绝缘电阻/MΩ(VDC): >100
型号: INIT-Pt-10
品牌: 江苏英尼特智能科技有限公司
封装: 请联系销售人员获取有关包装尺寸和可用性的信息。
描述: INIT-Pt系列铂薄膜热敏电阻器(简称铂电阻)是英尼特研制且100%国产化的温度测量元件。产品采用薄膜制备技术将铂沉积在Al2O3陶瓷基底上,经过光刻、离子束刻蚀和激光调阻工艺形成高精度的感温电阻膜层。通过表面包封、引线焊接和焊点包封等工艺最终制作而成。产品具有精度高、体积小、抗振动能力强、工作可靠等特点,谱系化产品可实现 -196℃~850℃宽温区温度测量。
基础参数
测量范围/℃: -60~400
标称阻值/Ω: 100 1000
外形尺寸A×B×C / mm: 3×1.5×1
阻值 精度: A级 B级
引线 / mm: Pt Ø0.25
响应时间/s: 0.5
激励电流/mA: 0.1~1(需考虑自热)
绝缘电阻/MΩ(VDC): >100
型号: INIT-Pt
品牌: 江苏英尼特智能科技有限公司
封装: 请联系销售人员获取有关包装尺寸和可用性的信息。
描述: INIT-Pt系列铂薄膜热敏电阻器(简称铂电阻)是英尼特研制且100%国产化的温度测量元件。产品采用薄膜制备技术将铂沉积在Al2O3陶瓷基底上,经过光刻、离子束刻蚀和激光调阻工艺形成高精度的感温电阻膜层。通过表面包封、引线焊接和焊点包封等工艺最终制作而成。产品具有精度高、体积小、抗振动能力强、工作可靠等特点,谱系化产品可实现 -196℃~850℃宽温区温度测量。
基础参数
测量范围/℃: -60~400
标称阻值/Ω: 100
外形尺寸A×B×C / mm: 2.3×2×1.2
阻值 精度: A级 B级
引线 / mm: Pt Ø0.25
响应时间/s: 0.5
激励电流/mA: 0.1~1(需考虑自热)
绝缘电阻/MΩ(VDC): >100
型号: INIT-Pt-7A(工业级)
品牌: 江苏英尼特智能科技有限公司
封装: 请联系销售人员获取有关包装尺寸和可用性的信息。
描述: INIT-Pt系列铂薄膜热敏电阻器(简称铂电阻)是英尼特研制且100%国产化的温度测量元件。产品采用薄膜制备技术将铂沉积在Al2O3陶瓷基底上,经过光刻、离子束刻蚀和激光调阻工艺形成高精度的感温电阻膜层。通过表面包封、引线焊接和焊点包封等工艺最终制作而成。产品具有精度高、体积小、抗振动能力强、工作可靠等特点,谱系化产品可实现 -196℃~850℃宽温区温度测量。
基础参数
测量范围/℃: -70~500
标称阻值/Ω: 100 200 500 1000
外形尺寸A×B×C / mm: 2.3×2×1.2
阻值 精度: 1/3 B级 A级 B级 C级
引线 / mm: Pt-Ni Ø0.2
响应时间/s: 0.5
激励电流/mA: 0.1~1(需考虑自热)
绝缘电阻/MΩ(VDC): >100
型号: INIT-Pt-6
品牌: 江苏英尼特智能科技有限公司
封装: 请联系销售人员获取有关包装尺寸和可用性的信息。
描述: INIT-Pt系列铂薄膜热敏电阻器(简称铂电阻)是英尼特研制且100%国产化的温度测量元件。产品采用薄膜制备技术将铂沉积在Al2O3陶瓷基底上,经过光刻、离子束刻蚀和激光调阻工艺形成高精度的感温电阻膜层。通过表面包封、引线焊接和焊点包封等工艺最终制作而成。产品具有精度高、体积小、抗振动能力强、工作可靠等特点,谱系化产品可实现 -196℃~850℃宽温区温度测量。
基础参数
测量范围/℃: -80~600
标称阻值/Ω: 1000
外形尺寸A×B×C / mm: 5×2×1.2
阻值 精度: A级
引线 / mm: Pt Ø0.25
响应时间/s: 0.5
激励电流/mA: 0.1~1(需考虑自热)
绝缘电阻/MΩ(VDC): >100
型号: INIT-Pt-8A(工业级)
品牌: 江苏英尼特智能科技有限公司
封装: 请联系销售人员获取有关包装尺寸和可用性的信息。
描述: INIT-Pt系列铂薄膜热敏电阻器(简称铂电阻)是英尼特研制且100%国产化的温度测量元件。产品采用薄膜制备技术将铂沉积在Al2O3陶瓷基底上,经过光刻、离子束刻蚀和激光调阻工艺形成高精度的感温电阻膜层。通过表面包封、引线焊接和焊点包封等工艺最终制作而成。产品具有精度高、体积小、抗振动能力强、工作可靠等特点,谱系化产品可实现 -196℃~850℃宽温区温度测量。
基础参数
测量范围/℃: -196~150
标称阻值/Ω: 100 1000
外形尺寸A×B×C / mm: 2.3×2×1.3 4×2×1.3
阻值 精度: B级
引线 / mm: AgPd Ø0.25
响应时间/s: 0.5
激励电流/mA: 0.1~1(需考虑自热)
绝缘电阻/MΩ(VDC): >100
型号: INIT-Pt-8
品牌: 江苏英尼特智能科技有限公司
封装: 请联系销售人员获取有关包装尺寸和可用性的信息.
描述: INIT-Pt系列铂薄膜热敏电阻器(简称铂电阻)是英尼特研制且100%国产化的温度测量元件。产品采用薄膜制备技术将铂沉积在Al2O3陶瓷基底上,经过光刻、离子束刻蚀和激光调阻工艺形成高精度的感温电阻膜层。通过表面包封、引线焊接和焊点包封等工艺最终制作而成。产品具有精度高、体积小、抗振动能力强、工作可靠等特点,谱系化产品可实现 -196℃~850℃宽温区温度测量。
基础参数
测量范围/℃: -196~150
标称阻值/Ω: 100 1000
外形尺寸A×B×C / mm: 4×2×1.3
阻值 精度: B级
引线 / mm: Pt Ø0.25
响应时间/s: 0.5
激励电流/mA: 0.1~1(需考虑自热)
绝缘电阻/MΩ(VDC): >100
型号: INIT-Pt-3A
品牌: 江苏英尼特智能科技有限公司
封装: 请联系销售人员获取有关包装尺寸和可用性的信息。
描述: INIT-Pt系列铂薄膜热敏电阻器(简称铂电阻)是英尼特研制且100%国产化的温度测量元件。产品采用薄膜制备技术将铂沉积在Al2O3陶瓷基底上,经过光刻、离子束刻蚀和激光调阻工艺形成高精度的感温电阻膜层。通过表面包封、引线焊接和焊点包封等工艺最终制作而成。产品具有精度高、体积小、抗振动能力强、工作可靠等特点,谱系化产品可实现 -196℃~850℃宽温区温度测量。
基础参数
测量范围/℃: -60~400
标称阻值/Ω: 100 200 500 1000
外形尺寸A×B×C / mm: 4×2×1.3
阻值 精度: A级 ±0.1%
引线 / mm: Pt Ø0.25
响应时间/s: 0.5
激励电流/mA: 0.1~1(需考虑自热)
绝缘电阻/MΩ(VDC): >100
型号: INIT-Pt-3
品牌: 江苏英尼特智能科技有限公司
封装: 请联系销售人员获取有关包装尺寸和可用性的信息。
描述: INIT-Pt系列铂薄膜热敏电阻器(简称铂电阻)是英尼特研制且100%国产化的温度测量元件。产品采用薄膜制备技术将铂沉积在Al2O3陶瓷基底上,经过光刻、离子束刻蚀和激光调阻工艺形成高精度的感温电阻膜层。通过表面包封、引线焊接和焊点包封等工艺最终制作而成。产品具有精度高、体积小、抗振动能力强、工作可靠等特点,谱系化产品可实现 -196℃~850℃宽温区温度测量。
基础参数
测量范围/℃: -60~400
标称阻值/Ω: 100 200 500 1000
外形尺寸A×B×C / mm: 4×2×1.3
阻值 精度: ±0.1% ±0.2% ±0.5%
引线 / mm: Pt Ø0.2
响应时间/s: 0.5
激励电流/mA: 0.1~1(需考虑自热)
绝缘电阻/MΩ(VDC): >100
型号: INIT-Pt-2A
品牌: 江苏英尼特智能科技有限公司
封装: 请联系销售人员获取有关包装尺寸和可用性的信息。
描述: INIT-Pt系列铂薄膜热敏电阻器(简称铂电阻)是英尼特研制且100%国产化的温度测量元件。产品采用薄膜制备技术将铂沉积在Al2O3陶瓷基底上,经过光刻、离子束刻蚀和激光调阻工艺形成高精度的感温电阻膜层。通过表面包封、引线焊接和焊点包封等工艺最终制作而成。产品具有精度高、体积小、抗振动能力强、工作可靠等特点,谱系化产品可实现 -196℃~850℃宽温区温度测量。
基础参数
测量范围/℃: -60~400
标称阻值/Ω: 500 1000
外形尺寸A×B×C / mm: 10×2×1.3
阻值 精度: A级±0.1%
引线 / mm: PtØ0.25
响应时间/s: 0.5
激励电流/mA: 0.1~1(需考虑自热)
绝缘电阻/MΩ(VDC): >100
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