VCTCXO,2016,19.2MHz,3.3V,Clipped Sine wave,±1.5ppm(25℃),±1ppm @-40~+85℃-压控温补晶振(VCTCXO)-国产电子元器件|集成电路替代|自主可控选型-国芯在线

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VCTCXO,2016,19.2MHz,3.3V,Clipped Sine wave,±1.5ppm(25℃),±1ppm @-40~+85℃

型号： 9121S-Y19.200N33DT1JL

品牌： HCI（杭晶）

封装： SMD2016-4P

描述：高精度,高稳定性,VCTCXO ,封装:2016,频率:19.2MHz,输出波形:clipped sine,电压:3.3V,初始精度:±1.5ppm,稳定度:±1ppm,工作温度:-40-85℃

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商品型号 9121S-Y19.200N33DT1JL

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