DDR4电压为1.2V，相较于DDR3模组，性能和带宽显著提升，速率可达2666Mbps,最高速率可达3200Mbps。
该型号DDR4规格为512M*16,拥有工业级、宽温工业级以及普军级三类等级。该系列存储芯片广泛应用于航空航天、智能驾驶、导弹制导、信号处理等场景。
技术参数
商品型号
XHWDQ3BFAM
产品名称
DDR4(第四代双倍数据率动态随机存取存储器)
芯片容量
1GB
封装形式
96-ball FBGA 13mm*7.5mm*1.2mm
工作频率
2666(Mbps)/ 3200(Mbps)
工作电压
VDD =VDDQ=1.2V(1.14V-1.26V);Vpp=2.5V (2.375V to 2.75V)
兼容型号
IS43QR16512A/SM40A512M16M
工作温度
-40°C ~ +95°C/-55°C ~+125°C
替代型号
SM40A512M16M
Micron（镁光）
IS43QR16512A
ISSI（芯成半导体）
