DDR4电压为1.2V，相较于DDR3模组，性能和带宽显著提升，速率可达2666Mbps,最高速率可达3200Mbps。该型号DDR4规格为1Gb*8,拥有工业级、宽温工业级以及普军级三类等级。
技术参数
商品型号
XHWDQ3A8AM
产品名称
DDR4(第四代双倍数据率动态随机存取存储器]
芯片容量
1GB
封装形式
78-ball FBGA 11mm*7.5mm*1.2mm
工作频率
2666(Mbps) / 3200(Mbps)
工作电压
Vbb =VoDo =1.2V(1.14V-1.26V);Vpp=2.5V (2.375V to 2.75V)
兼容型号
MT40A1G8SA-062E
工作温度
-40°C ~ +95°C/-55°C ~+125°C
替代型号
MT40A1G8SA-062E
Micron（镁光）
