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芯片底部填充胶
基础参数
硬度shoreD：
90
介电强度KV/mm：
220
体积电阻率 Ω.cm：
>1014
密度g/cm3@25°C：
1.20+0.05
剪切强度MPa：
≥5.0
玻璃化转变温度:：
140°C
CTE(Tg前) ppm：
33
CTE (Tg后) ppm：
105
耐温范围°C：
-40~200
基础参数
邵氏硬度（D）：
≥85
拉伸剪切强度 Mpa（A1/A1） ：
≥10
绝缘强度 KV/mm ：
≥20
导热系数 W/(m·k） ：
≥1.0
体积电阻率 Ω.cm ：
1.7*1015
弯曲强度MPa ：
100
玻璃化转变温度℃：
135
CTE(TG前) ppm ：
25
CTE(TG后) ppm ：
79
