国芯在线:聚焦国产替代,打造一站式电子元器件选型与采购平台,收录5万多个Pin to pin 国产替代进口型号
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国科赛思(北京)科技有限公司
国科赛思(北京)科技有限公司是一家贯通功率器件芯片设计、封装、可靠性验证及应用的全链条国家级高新技术企业。 公司以元器件可靠性为基础,在该领域纵向发展,自主研发了 IGBT 及模块、Si 基 /SiC 基 MOSFET 及模块、 驱动 IC 系列产品,建成了通过 IATF 16949 车规认证的 J 民两用塑封产线。产品广泛应用于 D 载、J 载、船载、车载的随动系统和转动系统、舵机伺服控制系统、一次配电二次配电系统。
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60
件
IGBT 模块CSGKFF200R12M
国产
型号:
CSGKFF200R12M
品牌:
国科赛思(北京)科技有限公司
封装:
62mm module
描述:
请联系销售人员获取有关包装尺寸和可用性的信息
基础参数
Vces (V)@Tvj=25°C:
1200
Ic(A)@Tc=100°C:
200
Vcesat,typ(V)@Tvj=25°C:
1.43
Eon(mJ)@Tvj=25°C:
3.2
Eoff(mJ)@Tvj=25°C:
12.6
封装形式:
62mm module
技术支持
样品申请
产品采购
IGBT 模块CSGKFF150R12BF
国产
型号:
CSGKFF150R12BF
品牌:
国科赛思(北京)科技有限公司
封装:
62mm module
描述:
请联系销售人员获取有关包装尺寸和可用性的信息
基础参数
Vces (V)@Tvj=25°C:
1200
Ic(A)@Tc=100°C:
150
Vcesat,typ(V)@Tvj=25°C:
1.8
Eon(mJ)@Tvj=25°C:
24.4
Eoff(mJ)@Tvj=25°C:
12
封装形式:
62mm module
技术支持
样品申请
产品采购
IGBT 模块CSGKFF150R12B
国产
型号:
CSGKFF150R12B
品牌:
国科赛思(北京)科技有限公司
封装:
62mm module
描述:
请联系销售人员获取有关包装尺寸和可用性的信息
基础参数
Vces (V)@Tvj=25°C:
1200
Ic(A)@Tc=100°C:
150
Vcesat,typ(V)@Tvj=25°C:
1.81
Eon(mJ)@Tvj=25°C:
9.4
Eoff(mJ)@Tvj=25°C:
7.39
封装形式:
62mm module
技术支持
样品申请
产品采购
IGBT 模块CSGRFF150R12M
国产
型号:
CSGRFF150R12M
品牌:
国科赛思(北京)科技有限公司
封装:
34mm module
描述:
请联系销售人员获取有关包装尺寸和可用性的信息
基础参数
Vces (V)@Tvj=25°C:
1200
Ic(A)@Tc=100°C:
150
Vcesat,typ(V)@Tvj=25°C:
2
Eon(mJ)@Tvj=25°C:
14.2
Eoff(mJ)@Tvj=25°C:
8.8
封装形式:
34mm module
技术支持
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产品采购
IGBT 模块CSGRFF100R12M
国产
型号:
CSGRFF100R12M
品牌:
国科赛思(北京)科技有限公司
封装:
34mm module
描述:
请联系销售人员获取有关包装尺寸和可用性的信息
基础参数
Vces (V)@Tvj=25°C:
1200
Ic(A)@Tc=100°C:
100
Vcesat,typ(V)@Tvj=25°C:
1.6
Eon(mJ)@Tvj=25°C:
2.2
Eoff(mJ)@Tvj=25°C:
4.6
封装形式:
34mm module
技术支持
样品申请
产品采购
IGBT 模块CSGRFF100R12BF
国产
型号:
CSGRFF100R12BF
品牌:
国科赛思(北京)科技有限公司
封装:
34mm module
描述:
请联系销售人员获取有关包装尺寸和可用性的信息
基础参数
Vces (V)@Tvj=25°C:
1200
Ic(A)@Tc=100°C:
100
Vcesat,typ(V)@Tvj=25°C:
1.95
Eon(mJ)@Tvj=25°C:
2.68
Eoff(mJ)@Tvj=25°C:
1.56
封装形式:
34mm module
技术支持
样品申请
产品采购
IGBT 模块CSGRFF75R12BF
国产
型号:
CSGRFF75R12BF
品牌:
国科赛思(北京)科技有限公司
封装:
34mm module
描述:
请联系销售人员获取有关包装尺寸和可用性的信息
基础参数
Vces (V)@Tvj=25°C:
1200
Ic(A)@Tc=100°C:
75
Vcesat,typ(V)@Tvj=25°C:
1.83
Eon(mJ)@Tvj=25°C:
8.5
Eoff(mJ)@Tvj=25°C:
4.9
封装形式:
34mm module
技术支持
样品申请
产品采购
IGBT 模块CSGRFF75R12B
国产
型号:
CSGRFF75R12B
品牌:
国科赛思(北京)科技有限公司
封装:
34mm module
描述:
请联系销售人员获取有关包装尺寸和可用性的信息
基础参数
Vces (V)@Tvj=25°C:
1200
Ic(A)@Tc=100°C:
75
Vcesat,typ(V)@Tvj=25°C:
1.93
Eon(mJ)@Tvj=25°C:
6.1
Eoff(mJ)@Tvj=25°C:
4.5
封装形式:
34mm module
技术支持
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产品采购
IGBT 模块CSGPFS820R08BF
国产
型号:
CSGPFS820R08BF
品牌:
国科赛思(北京)科技有限公司
封装:
HybridPACK Drive
描述:
请联系销售人员获取有关包装尺寸和可用性的信息
基础参数
Vces (V)@Tvj=25°C:
750
Ic(A)@Tc=100°C:
820
Vcesat,typ(V)@Tvj=25°C:
1.37
Eon(mJ)@Tvj=25°C:
15.6
Eoff(mJ)@Tvj=25°C:
17.4
封装形式:
HybridPACK Drive
技术支持
样品申请
产品采购
IGBT 模块CSGPFS660R08BF
国产
型号:
CSGPFS660R08BF
品牌:
国科赛思(北京)科技有限公司
封装:
HybridPACK Drive
描述:
请联系销售人员获取有关包装尺寸和可用性的信息
基础参数
Vces (V)@Tvj=25°C:
750
Ic(A)@Tc=100°C:
660
Vcesat,typ(V)@Tvj=25°C:
1.14
Eon(mJ)@Tvj=25°C:
15.6
Eoff(mJ)@Tvj=25°C:
17.4
封装形式:
HybridPACK Drive
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产品采购
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