国芯在线:聚焦国产替代,打造一站式电子元器件选型与采购平台,收录5万多个Pin to pin 国产替代进口型号
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国科赛思(北京)科技有限公司
国科赛思(北京)科技有限公司是一家贯通功率器件芯片设计、封装、可靠性验证及应用的全链条国家级高新技术企业。 公司以元器件可靠性为基础,在该领域纵向发展,自主研发了 IGBT 及模块、Si 基 /SiC 基 MOSFET 及模块、 驱动 IC 系列产品,建成了通过 IATF 16949 车规认证的 J 民两用塑封产线。产品广泛应用于 D 载、J 载、船载、车载的随动系统和转动系统、舵机伺服控制系统、一次配电二次配电系统。
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81
件
SiC单管CSCW120R60C
国产
型号:
CSCW120R60C
品牌:
国科赛思(北京)科技有限公司
封装:
TO-247-4L
描述:
请联系销售人员获取有关包装尺寸和可用性的信息
基础参数
Vds,MAx(V)@Tvj=25°C:
1200
Id(A)@Tc=25°C:
44
Rdson.typ(mΩ)@Tj=25°C:
60
VGs(th)(V)@Tc=25°C:
2.8
Qg[nC]:
45
Coss(pF):
64
封装形式:
TO-247-3L
技术支持
样品申请
产品采购
SiC单管CSCW120R40C
国产
型号:
CSCW120R40C
品牌:
国科赛思(北京)科技有限公司
封装:
TO-247-3L
描述:
请联系销售人员获取有关包装尺寸和可用性的信息
基础参数
Vds,MAx(V)@Tvj=25°C:
1200
Id(A)@Tc=25°C:
73
Rdson.typ(mΩ)@Tj=25°C:
40
VGs(th)(V)@Tc=25°C:
2.8
Qg[nC]:
80
Coss(pF):
127
封装形式:
TO-247-3L
技术支持
样品申请
产品采购
SiC单管CSCZ120R32C
国产
型号:
CSCZ120R32C
品牌:
国科赛思(北京)科技有限公司
封装:
TO-247-4L
描述:
请联系销售人员获取有关包装尺寸和可用性的信息
基础参数
Vds,MAx(V)@Tvj=25°C:
1200
Id(A)@Tc=25°C:
76
Rdson.typ(mΩ)@Tj=25°C:
32
VGs(th)(V)@Tc=25°C:
2.8
Qg[nC]:
80
Coss(pF):
127
封装形式:
TO-247-4L
技术支持
样品申请
产品采购
SiC单管CSCZ120R14C
国产
型号:
CSCZ120R14C
品牌:
国科赛思(北京)科技有限公司
封装:
TO-247-4L
描述:
请联系销售人员获取有关包装尺寸和可用性的信息
基础参数
Vds,MAx(V)@Tvj=25°C:
1200
Id(A)@Tc=25°C:
152
Rdson.typ(mΩ)@Tj=25°C:
14
VGs(th)(V)@Tc=25°C:
2.8
Qg[nC]:
230
Coss(pF):
226
封装形式:
TO-247-4L
技术支持
样品申请
产品采购
SiC单管CSCS120R115B
国产
型号:
CSCS120R115B
品牌:
国科赛思(北京)科技有限公司
封装:
SOT 227
描述:
请联系销售人员获取有关包装尺寸和可用性的信息
基础参数
Vds,MAx(V)@Tvj=25°C:
1200
Id(A)@Tc=25°C:
115
Rdson.typ(mΩ)@Tj=25°C:
17
VGs(th)(V)@Tc=25°C:
2.8
Coss(pF):
229
封装形式:
SOT 227
技术支持
样品申请
产品采购
IPM-CSMBT30T60B
国产
型号:
CSMBT30T60B
品牌:
国科赛思(北京)科技有限公司
封装:
DIP-24H
描述:
请联系销售人员获取有关包装尺寸和可用性的信息
基础参数
Vces (V)@Tvj=25°C:
600
Ic(A)@Tc=100°C:
30
Vcesat,typ(V)@Tvj=25°C:
1.7
Eon(mJ)@Tvj=25°C:
1.13
Eoff(mJ)@Tvj=25°C:
DIP-24H
封装形式:
DIP-24H
技术支持
样品申请
产品采购
IPM-CSMBT20T60B
国产
型号:
CSMBT20T60B
品牌:
国科赛思(北京)科技有限公司
封装:
DIP-24H
描述:
请联系销售人员获取有关包装尺寸和可用性的信息
基础参数
Vces (V)@Tvj=25°C:
600
Ic(A)@Tc=100°C:
20
Vcesat,typ(V)@Tvj=25°C:
1.7
Eon(mJ)@Tvj=25°C:
1.13
Eoff(mJ)@Tvj=25°C:
DIP-24H
封装形式:
DIP-24H
技术支持
样品申请
产品采购
IPM-CSMBT15T60B
国产
型号:
CSMBT15T60B
品牌:
国科赛思(北京)科技有限公司
封装:
DIP-26H
描述:
请联系销售人员获取有关包装尺寸和可用性的信息
基础参数
Vces (V)@Tvj=25°C:
600
Ic(A)@Tc=100°C:
15
Vcesat,typ(V)@Tvj=25°C:
1.6
Eon(mJ)@Tvj=25°C:
1.1
Eoff(mJ)@Tvj=25°C:
DIP-26H
封装形式:
DIP-26H
技术支持
样品申请
产品采购
IPM-CSMBT15T60B
国产
型号:
CSMBT15T60B
品牌:
国科赛思(北京)科技有限公司
封装:
DIP-24H
描述:
请联系销售人员获取有关包装尺寸和可用性的信息
基础参数
Vces (V)@Tvj=25°C:
600
Ic(A)@Tc=100°C:
15
Vcesat,typ(V)@Tvj=25°C:
1.7
Eon(mJ)@Tvj=25°C:
1.3
Eoff(mJ)@Tvj=25°C:
DIP-24H
封装形式:
DIP-24H
技术支持
样品申请
产品采购
IPM-CSMFT10T60B
国产
型号:
CSMFT10T60B
品牌:
国科赛思(北京)科技有限公司
封装:
DIP-26H
描述:
请联系销售人员获取有关包装尺寸和可用性的信息
基础参数
Vces (V)@Tvj=25°C:
600
Ic(A)@Tc=100°C:
10
Vcesat,typ(V)@Tvj=25°C:
1.7
Eon(mJ)@Tvj=25°C:
1.1
Eoff(mJ)@Tvj=25°C:
DIP-26H
封装形式:
DIP-26H
技术支持
样品申请
产品采购
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