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三极管 / MOS管 / 晶体管
MOSFET (SGT、VD、Trench、SIC等) IGBT管 / 模块/PIM模块 智能功率模块(IPM)
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符合条件产品：共66件
IPM-CSMBT30T60B 国产
型号： CSMBT30T60B
品牌： 国科赛思(北京)科技有限公司
封装： DIP-24H
描述： 请联系销售人员获取有关包装尺寸和可用性的信息
基础参数
Vces (V)@Tvj=25°C： 600
Ic(A)@Tc=100°C： 30
Vcesat,typ(V)@Tvj=25°C： 1.7
Eon(mJ)@Tvj=25°C： 1.13
Eoff(mJ)@Tvj=25°C： DIP-24H
封装形式： DIP-24H
IPM-CSMBT20T60B 国产
型号： CSMBT20T60B
品牌： 国科赛思(北京)科技有限公司
封装： DIP-24H
描述： 请联系销售人员获取有关包装尺寸和可用性的信息
基础参数
Vces (V)@Tvj=25°C： 600
Ic(A)@Tc=100°C： 20
Vcesat,typ(V)@Tvj=25°C： 1.7
Eon(mJ)@Tvj=25°C： 1.13
Eoff(mJ)@Tvj=25°C： DIP-24H
封装形式： DIP-24H
IPM-CSMBT15T60B 国产
型号： CSMBT15T60B
品牌： 国科赛思(北京)科技有限公司
封装： DIP-26H
描述： 请联系销售人员获取有关包装尺寸和可用性的信息
基础参数
Vces (V)@Tvj=25°C： 600
Ic(A)@Tc=100°C： 15
Vcesat,typ(V)@Tvj=25°C： 1.6
Eon(mJ)@Tvj=25°C： 1.1
Eoff(mJ)@Tvj=25°C： DIP-26H
封装形式： DIP-26H
IPM-CSMBT15T60B 国产
型号： CSMBT15T60B
品牌： 国科赛思(北京)科技有限公司
封装： DIP-24H
描述： 请联系销售人员获取有关包装尺寸和可用性的信息
基础参数
Vces (V)@Tvj=25°C： 600
Ic(A)@Tc=100°C： 15
Vcesat,typ(V)@Tvj=25°C： 1.7
Eon(mJ)@Tvj=25°C： 1.3
Eoff(mJ)@Tvj=25°C： DIP-24H
封装形式： DIP-24H
IPM-CSMFT10T60B 国产
型号： CSMFT10T60B
品牌： 国科赛思(北京)科技有限公司
封装： DIP-26H
描述： 请联系销售人员获取有关包装尺寸和可用性的信息
基础参数
Vces (V)@Tvj=25°C： 600
Ic(A)@Tc=100°C： 10
Vcesat,typ(V)@Tvj=25°C： 1.7
Eon(mJ)@Tvj=25°C： 1.1
Eoff(mJ)@Tvj=25°C： DIP-26H
封装形式： DIP-26H
IPM-CSMET10T60B 国产
型号： CSMET10T60B
品牌： 国科赛思(北京)科技有限公司
封装： DIP-25H
描述： 请联系销售人员获取有关包装尺寸和可用性的信息
基础参数
Vces (V)@Tvj=25°C： 600
Ic(A)@Tc=100°C： 10
Vcesat,typ(V)@Tvj=25°C： 1.2
Eoff(mJ)@Tvj=25°C： DIP-25H
封装形式： DIP-25H
IPM-CSMBT10T60B 国产
型号： CSMBT10T60B
品牌： 国科赛思(北京)科技有限公司
封装： DIP-24H
描述： 请联系销售人员获取有关包装尺寸和可用性的信息
基础参数
Vces (V)@Tvj=25°C： 600
Ic(A)@Tc=100°C： 10
Vcesat,typ(V)@Tvj=25°C： 1.8
Eon(mJ)@Tvj=25°C： 1.13
Eoff(mJ)@Tvj=25°C： DIP-24H
封装形式： DIP-24H
IGBT 模块CSGMFF800R17NF 国产
型号： CSGMFF800R17NF
品牌： 国科赛思(北京)科技有限公司
封装： EconoDUAL 3
描述： 请联系销售人员获取有关包装尺寸和可用性的信息
基础参数
Vces (V)@Tvj=25°C： 1700
Ic(A)@Tc=100°C： 800
Vcesat,typ(V)@Tvj=25°C： 1.9
Eon(mJ)@Tvj=25°C： 234
Eoff(mJ)@Tvj=25°C： 197
封装形式： EconoDUAL 3
IGBT 模块CSGMFF600R17NF 国产
型号： CSGMFF600R17NF
品牌： 国科赛思(北京)科技有限公司
封装： EconoDUAL 3
描述： 请联系销售人员获取有关包装尺寸和可用性的信息
基础参数
Vces (V)@Tvj=25°C： 1700
Ic(A)@Tc=100°C： 600
Vcesat,typ(V)@Tvj=25°C： 1.69
Eon(mJ)@Tvj=25°C： 243.9
Eoff(mJ)@Tvj=25°C： 99.7
封装形式： EconoDUAL 3
IGBT 模块CSGMFF450R17BF 国产
型号： CSGMFF450R17BF
品牌： 国科赛思(北京)科技有限公司
封装： EconoDUAL 3
描述： 请联系销售人员获取有关包装尺寸和可用性的信息
基础参数
Vces (V)@Tvj=25°C： 1700
Ic(A)@Tc=100°C： 450
Vcesat,typ(V)@Tvj=25°C： 2.14
Eon(mJ)@Tvj=25°C： 98
Eoff(mJ)@Tvj=25°C： 92
封装形式： EconoDUAL 3