国芯在线：聚焦国产替代，打造一站式电子元器件选型与采购平台，收录5万多个Pin to pin 国产替代进口型号
官方首页 帮助中心
资讯 活动 产品 企业 替代 需求 报告
搜索
首页 国产元器件商城 国产替代查询 国产替代选型手册 活动报名 需求对接 精品报告 国芯资讯 关于我们
当前位置： 首页 > 产品目录 > 三极管 / MOS管 / 晶体管
三极管 / MOS管 / 晶体管
MOSFET (SGT、VD、Trench、SIC等) IGBT管 / 模块/PIM模块 智能功率模块(IPM)
综合排序
价格 新品
清空 搜索
符合条件产品：共66件
IGBT 模块CSGRFF100R12M 国产
型号： CSGRFF100R12M
品牌： 国科赛思(北京)科技有限公司
封装： 34mm module
描述： 请联系销售人员获取有关包装尺寸和可用性的信息
基础参数
Vces (V)@Tvj=25°C： 1200
Ic(A)@Tc=100°C： 100
Vcesat,typ(V)@Tvj=25°C： 1.6
Eon(mJ)@Tvj=25°C： 2.2
Eoff(mJ)@Tvj=25°C： 4.6
封装形式： 34mm module
IGBT 模块CSGRFF100R12BF 国产
型号： CSGRFF100R12BF
品牌： 国科赛思(北京)科技有限公司
封装： 34mm module
描述： 请联系销售人员获取有关包装尺寸和可用性的信息
基础参数
Vces (V)@Tvj=25°C： 1200
Ic(A)@Tc=100°C： 100
Vcesat,typ(V)@Tvj=25°C： 1.95
Eon(mJ)@Tvj=25°C： 2.68
Eoff(mJ)@Tvj=25°C： 1.56
封装形式： 34mm module
IGBT 模块CSGRFF75R12BF 国产
型号： CSGRFF75R12BF
品牌： 国科赛思(北京)科技有限公司
封装： 34mm module
描述： 请联系销售人员获取有关包装尺寸和可用性的信息
基础参数
Vces (V)@Tvj=25°C： 1200
Ic(A)@Tc=100°C： 75
Vcesat,typ(V)@Tvj=25°C： 1.83
Eon(mJ)@Tvj=25°C： 8.5
Eoff(mJ)@Tvj=25°C： 4.9
封装形式： 34mm module
IGBT 模块CSGRFF75R12B 国产
型号： CSGRFF75R12B
品牌： 国科赛思(北京)科技有限公司
封装： 34mm module
描述： 请联系销售人员获取有关包装尺寸和可用性的信息
基础参数
Vces (V)@Tvj=25°C： 1200
Ic(A)@Tc=100°C： 75
Vcesat,typ(V)@Tvj=25°C： 1.93
Eon(mJ)@Tvj=25°C： 6.1
Eoff(mJ)@Tvj=25°C： 4.5
封装形式： 34mm module
IGBT 模块CSGPFS820R08BF 国产
型号： CSGPFS820R08BF
品牌： 国科赛思(北京)科技有限公司
封装： HybridPACK Drive
描述： 请联系销售人员获取有关包装尺寸和可用性的信息
基础参数
Vces (V)@Tvj=25°C： 750
Ic(A)@Tc=100°C： 820
Vcesat,typ(V)@Tvj=25°C： 1.37
Eon(mJ)@Tvj=25°C： 15.6
Eoff(mJ)@Tvj=25°C： 17.4
封装形式： HybridPACK Drive
IGBT 模块CSGPFS660R08BF 国产
型号： CSGPFS660R08BF
品牌： 国科赛思(北京)科技有限公司
封装： HybridPACK Drive
描述： 请联系销售人员获取有关包装尺寸和可用性的信息
基础参数
Vces (V)@Tvj=25°C： 750
Ic(A)@Tc=100°C： 660
Vcesat,typ(V)@Tvj=25°C： 1.14
Eon(mJ)@Tvj=25°C： 15.6
Eoff(mJ)@Tvj=25°C： 17.4
封装形式： HybridPACK Drive
IGBT 模块CSGPFS600R08BF 国产
型号： CSGPFS600R08BF
品牌： 国科赛思(北京)科技有限公司
封装： HybridPACK Drive
描述： 请联系销售人员获取有关包装尺寸和可用性的信息
基础参数
Vces (V)@Tvj=25°C： 750
Ic(A)@Tc=100°C： 600
Vcesat,typ(V)@Tvj=25°C： 5.9
Eon(mJ)@Tvj=25°C： 15
Eoff(mJ)@Tvj=25°C： 43
封装形式： HybridPACK Drive
IGBT 模块CSGHFS600R08B 国产
型号： CSGHFS600R08B
品牌： 国科赛思(北京)科技有限公司
封装： HP1 DC6i
描述： 请联系销售人员获取有关包装尺寸和可用性的信息
基础参数
Vces (V)@Tvj=25°C： 750
Ic(A)@Tc=100°C： 600
Vcesat,typ(V)@Tvj=25°C： 1.46
Eon(mJ)@Tvj=25°C： 9
Eoff(mJ)@Tvj=25°C： 30
封装形式： HP1 DC6i
IGBT 模块CSGHFS400R12B 国产
型号： CSGHFS400R12B
品牌： 国科赛思(北京)科技有限公司
封装： HP1 DC6i
描述： 请联系销售人员获取有关包装尺寸和可用性的信息
基础参数
Vces (V)@Tvj=25°C： 750
Ic(A)@Tc=100°C： 400
Vcesat,typ(V)@Tvj=25°C： 1.35
Eon(mJ)@Tvj=25°C： 6.4
Eoff(mJ)@Tvj=25°C： 17.7
封装形式： HP1 DC6i
IGBT 模块CSGHFS400R08N 国产
型号： CSGHFS400R08N
品牌： 国科赛思(北京)科技有限公司
封装： HP1
描述： 请联系销售人员获取有关包装尺寸和可用性的信息
基础参数
Vces (V)@Tvj=25°C： 750
Ic(A)@Tc=100°C： 400
Vcesat,typ(V)@Tvj=25°C： 1.34
Eon(mJ)@Tvj=25°C： 4.5
Eoff(mJ)@Tvj=25°C： 20
封装形式： HP1