DDR3-存储器-产品目录--国产电子元器件|集成电路替代|自主可控选型-国芯在线

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符合条件产品：共2件

全国产DDR3 XHWDP2A8LM 国产

型号： DDR3 XHWDP2A8LM

品牌：西安航空发动机微电子有限公司

封装： 78-ball FBGA 10.6mm*7.5mm*1.2mm

描述： DDR3电压为1.35V/1.5V，相较于DDR2模组，性能和带宽显著提升，速率为1866Mbps，最高速率可达2133Mbps。该型号DDR3规格为512M*8,拥有工业级、宽温工业级以及普军级三类等级。该系列存储芯片广泛应用于航空航天、智能驾驶、导弹制导、信号处理等场景。

替代型号：1个

型号： MT41K512M8DA 品牌： Micron（镁光）

基础参数

产品名称： DDR3(第三代双倍数据速率同步动态随机存储器

芯片容量： 512MB

封装形式： 78-ball FBGA 10.6mm*7.5mm*1.2mm

工作频率： 1866(Mbps) / 2133(Mbps)

工作电压： 1.35V(1.283V-1.45V)/向后兼1.5V

工作温度： -40°C~+95°C/-55°C~+125°C

技术支持产品采购替代型号

替代型号：2个

型号： MT41K256M16HA 品牌：美光

型号： SM41J256M16EIP 品牌：国微

基础参数

产品名称： DDR3(第三代双倍数据速率同步动态随机存储器)

芯片容量： 512MB

封装形式： 96-ball FBGA13mm*7.5mm*1.2mm

工作频率： 1866(Mbps)/2133(Mbps)

工作电压： 1.35V(1.283V-1.45V)/向后兼1.5V

兼容型号： MT41K256M16HA/SM41J256M16M

工作温度： -40°C~+95°C/-55°C~+125°C

技术支持产品采购替代型号