全国产DDR3 XHWDP2A8LM-DDR3-国产电子元器件|集成电路替代|自主可控选型-国芯在线

全国产DDR3 XHWDP2A8LM

型号： DDR3 XHWDP2A8LM

品牌：西安航空发动机微电子有限公司

封装： 78-ball FBGA 10.6mm*7.5mm*1.2mm

描述： DDR3电压为1.35V/1.5V，相较于DDR2模组，性能和带宽显著提升，速率为1866Mbps，最高速率可达2133Mbps。该型号DDR3规格为512M*8,拥有工业级、宽温工业级以及普军级三类等级。该系列存储芯片广泛应用于航空航天、智能驾驶、导弹制导、信号处理等场景。

技术支持替代型号

商品介绍技术参数替代型号

DDR3电压为1.35V/1.5V，相较于DDR2模组，性能和带宽显著提升，速率为1866Mbps，最高速率可达2133Mbps。该型号DDR3规格为512M*8,拥有工业级、宽温工业级以及普军级三类等级。该系列存储芯片广泛应用于航空航天、智能驾驶、导弹制导、信号处理等场景。

技术参数

商品型号 DDR3 XHWDP2A8LM

商品目录 DDR3

产品名称 DDR3(第三代双倍数据速率同步动态随机存储器

芯片容量 512MB

封装形式 78-ball FBGA 10.6mm*7.5mm*1.2mm

工作频率 1866(Mbps) / 2133(Mbps)

工作电压 1.35V(1.283V-1.45V)/向后兼1.5V

工作温度 -40°C~+95°C/-55°C~+125°C

替代型号

MT41K512M8DA Micron（镁光）