国芯在线:聚焦国产替代,打造一站式电子元器件选型与采购平台,收录5万多个Pin to pin 国产替代进口型号
国科赛思(北京)科技有限公司
国科赛思(北京)科技有限公司是一家贯通功率器件芯片设计、封装、可靠性验证及应用的全链条国家级高新技术企业。 公司以元器件可靠性为基础,在该领域纵向发展,自主研发了 IGBT 及模块、Si 基 /SiC 基 MOSFET 及模块、 驱动 IC 系列产品,建成了通过 IATF 16949 车规认证的 J 民两用塑封产线。产品广泛应用于 D 载、J 载、船载、车载的随动系统和转动系统、舵机伺服控制系统、一次配电二次配电系统。
国科赛思(北京)科技有限公司
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公司电话: 13851870840
公司地址: 北京市海淀区北清路81号,中关村壹号A3-10层-1001
知识产权: 专利数量 15,商标数量 40,软件著作权数量 29
综合排序
价格 新品
符合条件产品:共81
型号: CSCW120R60C
品牌: 国科赛思(北京)科技有限公司
封装: TO-247-4L
描述: 请联系销售人员获取有关包装尺寸和可用性的信息
基础参数
Vds,MAx(V)@Tvj=25°C: 1200
Id(A)@Tc=25°C: 44
Rdson.typ(mΩ)@Tj=25°C: 60
VGs(th)(V)@Tc=25°C: 2.8
Qg[nC]: 45
Coss(pF): 64
封装形式: TO-247-3L
型号: CSCW120R40C
品牌: 国科赛思(北京)科技有限公司
封装: TO-247-3L
描述: 请联系销售人员获取有关包装尺寸和可用性的信息
基础参数
Vds,MAx(V)@Tvj=25°C: 1200
Id(A)@Tc=25°C: 73
Rdson.typ(mΩ)@Tj=25°C: 40
VGs(th)(V)@Tc=25°C: 2.8
Qg[nC]: 80
Coss(pF): 127
封装形式: TO-247-3L
型号: CSCZ120R32C
品牌: 国科赛思(北京)科技有限公司
封装: TO-247-4L
描述: 请联系销售人员获取有关包装尺寸和可用性的信息
基础参数
Vds,MAx(V)@Tvj=25°C: 1200
Id(A)@Tc=25°C: 76
Rdson.typ(mΩ)@Tj=25°C: 32
VGs(th)(V)@Tc=25°C: 2.8
Qg[nC]: 80
Coss(pF): 127
封装形式: TO-247-4L
型号: CSCZ120R14C
品牌: 国科赛思(北京)科技有限公司
封装: TO-247-4L
描述: 请联系销售人员获取有关包装尺寸和可用性的信息
基础参数
Vds,MAx(V)@Tvj=25°C: 1200
Id(A)@Tc=25°C: 152
Rdson.typ(mΩ)@Tj=25°C: 14
VGs(th)(V)@Tc=25°C: 2.8
Qg[nC]: 230
Coss(pF): 226
封装形式: TO-247-4L
型号: CSCS120R115B
品牌: 国科赛思(北京)科技有限公司
封装: SOT 227
描述: 请联系销售人员获取有关包装尺寸和可用性的信息
基础参数
Vds,MAx(V)@Tvj=25°C: 1200
Id(A)@Tc=25°C: 115
Rdson.typ(mΩ)@Tj=25°C: 17
VGs(th)(V)@Tc=25°C: 2.8
Coss(pF): 229
封装形式: SOT 227
型号: CSMBT30T60B
品牌: 国科赛思(北京)科技有限公司
封装: DIP-24H
描述: 请联系销售人员获取有关包装尺寸和可用性的信息
基础参数
Vces (V)@Tvj=25°C: 600
Ic(A)@Tc=100°C: 30
Vcesat,typ(V)@Tvj=25°C: 1.7
Eon(mJ)@Tvj=25°C: 1.13
Eoff(mJ)@Tvj=25°C: DIP-24H
封装形式: DIP-24H
型号: CSMBT20T60B
品牌: 国科赛思(北京)科技有限公司
封装: DIP-24H
描述: 请联系销售人员获取有关包装尺寸和可用性的信息
基础参数
Vces (V)@Tvj=25°C: 600
Ic(A)@Tc=100°C: 20
Vcesat,typ(V)@Tvj=25°C: 1.7
Eon(mJ)@Tvj=25°C: 1.13
Eoff(mJ)@Tvj=25°C: DIP-24H
封装形式: DIP-24H
型号: CSMBT15T60B
品牌: 国科赛思(北京)科技有限公司
封装: DIP-26H
描述: 请联系销售人员获取有关包装尺寸和可用性的信息
基础参数
Vces (V)@Tvj=25°C: 600
Ic(A)@Tc=100°C: 15
Vcesat,typ(V)@Tvj=25°C: 1.6
Eon(mJ)@Tvj=25°C: 1.1
Eoff(mJ)@Tvj=25°C: DIP-26H
封装形式: DIP-26H
型号: CSMBT15T60B
品牌: 国科赛思(北京)科技有限公司
封装: DIP-24H
描述: 请联系销售人员获取有关包装尺寸和可用性的信息
基础参数
Vces (V)@Tvj=25°C: 600
Ic(A)@Tc=100°C: 15
Vcesat,typ(V)@Tvj=25°C: 1.7
Eon(mJ)@Tvj=25°C: 1.3
Eoff(mJ)@Tvj=25°C: DIP-24H
封装形式: DIP-24H
型号: CSMFT10T60B
品牌: 国科赛思(北京)科技有限公司
封装: DIP-26H
描述: 请联系销售人员获取有关包装尺寸和可用性的信息
基础参数
Vces (V)@Tvj=25°C: 600
Ic(A)@Tc=100°C: 10
Vcesat,typ(V)@Tvj=25°C: 1.7
Eon(mJ)@Tvj=25°C: 1.1
Eoff(mJ)@Tvj=25°C: DIP-26H
封装形式: DIP-26H