国芯在线:聚焦国产替代,打造一站式电子元器件选型与采购平台,收录5万多个Pin to pin 国产替代进口型号
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国科赛思(北京)科技有限公司
国科赛思(北京)科技有限公司是一家贯通功率器件芯片设计、封装、可靠性验证及应用的全链条国家级高新技术企业。 公司以元器件可靠性为基础,在该领域纵向发展,自主研发了 IGBT 及模块、Si 基 /SiC 基 MOSFET 及模块、 驱动 IC 系列产品,建成了通过 IATF 16949 车规认证的 J 民两用塑封产线。产品广泛应用于 D 载、J 载、船载、车载的随动系统和转动系统、舵机伺服控制系统、一次配电二次配电系统。
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国科赛思(北京)科技有限公司
公司领域:
公司标签:
公司电话:
13851870840
公司地址:
北京市海淀区北清路81号,中关村壹号A3-10层-1001
知识产权:
专利数量 15,商标数量 40,软件著作权数量 29
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符合条件产品:共
81
件
IGBT 模块CSGPFS660R08BF
国产
型号:
CSGPFS660R08BF
品牌:
国科赛思(北京)科技有限公司
封装:
HybridPACK Drive
描述:
请联系销售人员获取有关包装尺寸和可用性的信息
基础参数
Vces (V)@Tvj=25°C:
750
Ic(A)@Tc=100°C:
660
Vcesat,typ(V)@Tvj=25°C:
1.14
Eon(mJ)@Tvj=25°C:
15.6
Eoff(mJ)@Tvj=25°C:
17.4
封装形式:
HybridPACK Drive
技术支持
样品申请
产品采购
IGBT 模块CSGPFS600R08BF
国产
型号:
CSGPFS600R08BF
品牌:
国科赛思(北京)科技有限公司
封装:
HybridPACK Drive
描述:
请联系销售人员获取有关包装尺寸和可用性的信息
基础参数
Vces (V)@Tvj=25°C:
750
Ic(A)@Tc=100°C:
600
Vcesat,typ(V)@Tvj=25°C:
5.9
Eon(mJ)@Tvj=25°C:
15
Eoff(mJ)@Tvj=25°C:
43
封装形式:
HybridPACK Drive
技术支持
样品申请
产品采购
IGBT 模块CSGHFS600R08B
国产
型号:
CSGHFS600R08B
品牌:
国科赛思(北京)科技有限公司
封装:
HP1 DC6i
描述:
请联系销售人员获取有关包装尺寸和可用性的信息
基础参数
Vces (V)@Tvj=25°C:
750
Ic(A)@Tc=100°C:
600
Vcesat,typ(V)@Tvj=25°C:
1.46
Eon(mJ)@Tvj=25°C:
9
Eoff(mJ)@Tvj=25°C:
30
封装形式:
HP1 DC6i
技术支持
样品申请
产品采购
IGBT 模块CSGHFS400R12B
国产
型号:
CSGHFS400R12B
品牌:
国科赛思(北京)科技有限公司
封装:
HP1 DC6i
描述:
请联系销售人员获取有关包装尺寸和可用性的信息
基础参数
Vces (V)@Tvj=25°C:
750
Ic(A)@Tc=100°C:
400
Vcesat,typ(V)@Tvj=25°C:
1.35
Eon(mJ)@Tvj=25°C:
6.4
Eoff(mJ)@Tvj=25°C:
17.7
封装形式:
HP1 DC6i
技术支持
样品申请
产品采购
IGBT 模块CSGHFS400R08N
国产
型号:
CSGHFS400R08N
品牌:
国科赛思(北京)科技有限公司
封装:
HP1
描述:
请联系销售人员获取有关包装尺寸和可用性的信息
基础参数
Vces (V)@Tvj=25°C:
750
Ic(A)@Tc=100°C:
400
Vcesat,typ(V)@Tvj=25°C:
1.34
Eon(mJ)@Tvj=25°C:
4.5
Eoff(mJ)@Tvj=25°C:
20
封装形式:
HP1
技术支持
样品申请
产品采购
IGBT 模块CSGHFS300R08B
国产
型号:
CSGHFS300R08B
品牌:
国科赛思(北京)科技有限公司
封装:
HP1 DC6i
描述:
请联系销售人员获取有关包装尺寸和可用性的信息
基础参数
Vces (V)@Tvj=25°C:
750
Ic(A)@Tc=100°C:
300
Vcesat,typ(V)@Tvj=25°C:
1.55
Eon(mJ)@Tvj=25°C:
2.7
Eoff(mJ)@Tvj=25°C:
9.4
封装形式:
HP1 DC6i
技术支持
样品申请
产品采购
IGBT 模块CSGXF3L450R07NF
国产
型号:
CSGXF3L450R07NF
品牌:
国科赛思(北京)科技有限公司
封装:
三电平模块
描述:
请联系销售人员获取有关包装尺寸和可用性的信息
基础参数
Vces (V)@Tvj=25°C:
650/450
Ic(A)@Tc=100°C:
450
Vcesat,typ(V)@Tvj=25°C:
1.6
Eon(mJ)@Tvj=25°C:
4.7
Eoff(mJ)@Tvj=25°C:
2.6
封装形式:
三电平模块
技术支持
样品申请
产品采购
IGBT 内绝缘单管CSBE75N120DSFX
国产
型号:
CSBE75N120DSFX
品牌:
国科赛思(北京)科技有限公司
封装:
TO-247-3L-Plus-AI
描述:
请联系销售人员获取有关包装尺寸和可用性的信息
基础参数
Vces (V)@Tvj=25°C:
1200
Ic(A)@Tc=100°C:
75
Vcesat,typ(V)@Tvj=25°C:
1.64
Eon(mJ)@Tvj=25°C:
16.25
Eoff(mJ)@Tvj=25°C:
11.76
封装形式:
TO-247-3L-Plus-AI
技术支持
样品申请
产品采购
IGBT 内绝缘单管CSBK50N120FSFX
国产
型号:
CSBK50N120FSFX
品牌:
国科赛思(北京)科技有限公司
封装:
TO-247-3L-AI
描述:
请联系销售人员获取有关包装尺寸和可用性的信息
基础参数
Vces (V)@Tvj=25°C:
1200
Ic(A)@Tc=100°C:
50
Vcesat,typ(V)@Tvj=25°C:
1.83
Eon(mJ)@Tvj=25°C:
8.58
Eoff(mJ)@Tvj=25°C:
5.85
封装形式:
TO-247-3L-AI
技术支持
样品申请
产品采购
IGBT 内绝缘单管CSBK40N120KSY
国产
型号:
CSBK40N120KSY
品牌:
国科赛思(北京)科技有限公司
封装:
TO-247-3L-AI
描述:
请联系销售人员获取有关包装尺寸和可用性的信息
基础参数
Vces (V)@Tvj=25°C:
1200
Ic(A)@Tc=100°C:
40
Vcesat,typ(V)@Tvj=25°C:
1.68
Eon(mJ)@Tvj=25°C:
3.99
Eoff(mJ)@Tvj=25°C:
3.27
封装形式:
TO-247-3L-AI
技术支持
样品申请
产品采购
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