公司概况
西安航空发动机微电子有限公司成立于2003年,前身为西航集团下属子公司,2023年混改后现为民营企业,坐落于西安高新区半导体产业园。
业务领域
公司专注于高可靠集成电路领域,主营全国产化动态随机存储器(DRAM)芯片,产品符合国内外相关标准,并已全面适配飞腾、景嘉微、风云二号等国产处理器及GPU,以及瑞芯微、华为、天数智芯等AI芯片平台。
团队与运营
公司核心团队源自航空、航天及中科院研究所,拥有深厚的技术积累与工程经验。现有员工34人,研发人员中硕博占比超半数,技术与管理人员比例约2.5:1。公司采用典型的Fabless运营模式,与专业封测伙伴建立稳定合作,确保产品全流程可控。公司已通过GJB9001C-2017及GB/T19001-2016质量管理体系认证,内部设有专职质检团队,从设计到应用端实施全链条质量监控。
质量与市场
产品可靠性已获充分验证,主要服务多家重要科研院所和军工单位,以高可靠品质和全国产化能力保障关键装备存储安全,致力于为国防及高端工业领域提供自主可控、高可靠性的存储芯片与解决方案。
核心产品
核心产品为全国产化低功耗动态随机存储器(DDR)芯片系列,覆盖DDR3、DDR4、DDR5及LPDDR4X、LPDDR5X等主流规格。
存储产品拓展
此外,公司自主研发多种eMMC嵌入式存储产品,并正积极推进eMCP(多芯片封装)产品的研发,以提供更高集成度的存储解决方案。
设计与制造保障
所有产品均基于国产EDA工具完成设计和仿真,依托长鑫GQ1级别高品质晶圆,结合专业第三方高低温、机械应力等可靠性筛选测试,确保产品在严苛环境下稳定运行。
交付与支持
标准品供货周期为4~6周,可灵活满足批量交付需求。公司同时提供从芯片选型、板级验证到系统适配的全链条技术支持,助力客户快速完成国产化替代。
应用领域
产品已广泛应用于通信、导航、军工计算及人工智能等对质量和自主性要求极高的领域。

超8000平米的芯片生产封测基地
装配车间
车间配备了先进的芯片贴装设备,其贴装精度可达亚微米级别,能确保每个芯片都精准地处于设计位置,拥有自动化程度极高的键合设备,可实现高速且稳定的金属丝键合。
半导体封测车间
研发了多种先进的封装工艺技术,包括系统级封装(SIP)、晶圆级封装(WLP)、倒装芯片封装(Flip Chip),拥有一支专业技术过硬、经验丰富的工程师团队,在半导体封测领域拥有多年的从业经验,不断跟踪国际先进的封测技术发展趋势,熟悉各种封测工艺和设备的操作与维护,同时注重技术研发和创新。与国内知名的原材料供应商建立了长期稳定的合作关系,对供应商进行严格的筛选和评估,确保所采购的原材料具有高品质、高性能和高可靠性。
SMT车间
车间配备了行业领先的高精度贴片机,能够实现微米级别的贴装精度,采用先进的回流焊炉,其具备精确的温度控制和均匀的加热性能。建立了全自动化的SMT生产线,从锡膏印刷、芯片贴装到回流焊接等一系列工序,均由自动化设备完成,减少人工干预,生产线具备快速换线的功能,能够在短时间内完成不同产品型号的切换生产。
拥有引线键合机、塑封机、测试机、探针台、分选机、锡膏印刷机、锡膏搅拌机、表面贴片机、回流焊、超声波清洗机、SMD点数机、烘干机、晶圆测试机、CCD显微镜、全自动模压机等机械设备。
研发团队
研发人员全部拥有本科及以上学历,其中硕士及博士学位成员占半数。核心团队均来自于航空、航天、中科院研究所,技术实力雄厚,在动态随机存取存储器、NANDFlash、固态硬盘、抗辐照电路设计等方面具有丰富的研发经验。
研发方向
立足于自主可控,致力于自主可控特种存储芯片、可计算存储技术研发及综合存储解决方案提供,努力为用户提供高稳定、高可靠、高性能、抗恶劣环境的系列产品。
公司产品
| 序号 | 型 号 | 描述 | 容量 | 组织形式 | 数据速率/Mbps | 工业档温度范围 | 工作电压 | 封装 |
| 1 | XHWP2BFLM-WB | DDR3 4Gb x16 | 512MB | 256 Mb x16 | 1866 | -40℃~95℃ | 1.35V/1.5V | 96-FBGA |
| 2 | XHWP2BFLM | DDR3 4Gb x16 | 512MB | 256 Mb x16 | 1600 | -55℃~125℃(N1) | 1.35V/1.5V | 96-FBGA |
| 3 | XHWDQ3BFAM | DDR4 8Gb x16 | 1GB | 512Mb x16 | 3200 | -55℃~125℃(N1) | 1.2V | 96-FBGA |
| 4 | XHWDQ3BFAM-WJ | DDR4 8Gb x16 | 1GB | 512Mb x16 | 3200 | -40℃~95℃ | 1.2V | 96-FBGA |
| 5 | XHWDQ3BFAM-WQ | DDR4 8Gb x16 | 1GB | 512Mb x16 | 2666 | -40℃~95℃ | 1.2V | 96-FBGA |
| 6 | XHWDQ3A8AM-WJ | DDR4 8Gb x8 | 1GB | 1Gb x8 | 3200 | -40℃~95℃ | 1.2V | 78-FBGA |
| 7 | XHWDB4CBAM-EA-A | LPDDR4X 2GB x32 | 2GB | 512Mb x16 | 4266 | -40℃~105℃ | VDD1/VDD2/VDDQ: 1.8/1.1/1.1&0.6V | 200-FBGA |
| 8 | XHWDB5CCBM-EA-A | LPDDR4X 4GB x32 | 4GB | 512Mb x16 | 4266 | -40℃~105℃ | VDD1/VDD2/VDDQ: 1.8/1.1/1.1&0.6V | 200-FBGA |
| 9 | CXDR4E8BM-CN-A_IND_Screened_by_XHW | DDR5 2GB x8 | 2GB | 2Gb x8 | 5600 | -40℃~85℃ | Vpp=1.1;VppQ=1.1;VPP=1.8 | 82-FBGA |
| 10 | XHWDD6DCBM-MC-M | LPDDR5X 8GB x32 | 8GB | 1Gbx16 | 8533 | -25℃~85℃(商) | VDD1/VDD2/VDDQ: 1.8/1.05/0.5V | 315-DSC |
| 11 | XHWFCB32G3EA06I | eMMC pSLC | 32GB | / | 400MB/s(HS400) | -40℃~85℃ | Vcc:2.7-3.6V;Vccq:1.7-1.95V or 2.7-3.6V | 153-TFBGA |
| 12 | XHWFCB64G3EA05I | eMMC TLC | 64GB | / | 400MB/s(HS400) | -40℃~85℃ | Vcc:2.7-3.6V;Vccq:1.7-1.95V or 2.7-3.6V | 153-TFBGA |