探测材料：
β-Ga₂O₃（氧化镓）单晶 / 薄膜
封装形式：
3535 SMD（3.5 mm × 3.5 mm 贴片）
光谱响应范围：
200–280 nm（日盲段）
峰值响应波长（12 V 偏置）：
≈ 235–260 nm
峰值响应度（≈ 240 nm）：
约 0.8 A/W（样品实测）
深紫外光电流（260 nm，12 V）：
约 3.92 nA（峰值点）
550 nm 可见光电流（12 V（强抑制））：
约 0.081 nA
日盲特性（见图2 对数谱）：
300 nm+ 响应较 254 nm 下降 > 10²–10³
工艺兼容（3535 焊盘）：
SMD 表贴，兼容主流贴装产线