国芯在线：聚焦国产替代，打造一站式电子元器件选型与采购平台，收录5万多个Pin to pin 国产替代进口型号
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全国产DDR4 ：XHWDQ3A8AM
国产
型号：
XHWDQ3A8AM
品牌：
西安航空发动机微电子有限公司
封装：
78-ball FBGA 11mm*7.5mm*1.2mm
描述：
速率可达2666Mbps,最高速率可达3200Mbps。该型号DDR4规格为1Gb*8,
替代型号：1个
型号：
MT40A1G8SA-062E
品牌：
Micron（镁光）
基础参数
产品名称 ：
DDR4(第四代双倍数据率动态随机存取存储器]
芯片容量：
1GB
封装形式：
78-ball FBGA 11mm*7.5mm*1.2mm
工作频率：
2666(Mbps) / 3200(Mbps)
工作电压：
Vbb =VoDo =1.2V(1.14V-1.26V);Vpp=2.5V (2.375V to 2.75V)
兼容型号：
MT40A1G8SA-062E
工作温度：
-40°C ~ +95°C/-55°C ~+125°C
技术支持
样品申请
产品采购
替代型号
全国产DDR3 XHWDP2A8LM
国产
型号：
DDR3 XHWDP2A8LM
品牌：
西安航空发动机微电子有限公司
封装：
78-ball FBGA 10.6mm*7.5mm*1.2mm
描述：
DDR3电压为1.35V/1.5V，相较于DDR2模组，性能和带宽显著提升，速率为1866Mbps，最高速率可达2133Mbps。该型号DDR3规格为512M*8,拥有工业级、宽温工业级以及普军级三类等级。该系列存储芯片广泛应用于航空航天、智能驾驶、导弹制导、信号处理等场景。
替代型号：1个
型号：
MT41K512M8DA
品牌：
Micron（镁光）
基础参数
产品名称：
DDR3(第三代双倍数据速率同步动态随机存储器
芯片容量：
512MB
封装形式：
78-ball FBGA 10.6mm*7.5mm*1.2mm
工作频率：
1866(Mbps) / 2133(Mbps)
工作电压：
1.35V(1.283V-1.45V)/向后兼1.5V
工作温度：
-40°C~+95°C/-55°C~+125°C
技术支持
样品申请
产品采购
替代型号
全国产LPDDR4X：XHWDB5CCBM-EA-A
国产
型号：
XHWDB5CCBM-EA-A
品牌：
西安航空发动机微电子有限公司
封装：
200-FBGA
描述：
工业档，-40℃~105℃，4266Mbps
替代型号：1个
型号：
CXDB5CCBM-EA-A
品牌：
长鑫
基础参数
产品名称：
LPDDR4X(低功耗双倍数据率第四代同步动态随机存取存储器
芯片容量：
4GB
封装形式：
200-Ball FBGA 15mm*10mm*1mm
工作频率：
4266(Mbps)
工作电压：
Vopi=1.8;VoD2=1.1;Vppo=0.6(典型值)
工作温度：
-40°C~+105°C
技术支持
样品申请
产品采购
替代型号
全国产LPDDR4X：XHWDB4CBAM-EA-A
国产
型号：
XHWDB4CBAM-EA-A
品牌：
西安航空发动机微电子有限公司
封装：
200-FBGA
描述：
工业档，-40℃~105℃，4266Mbps
替代型号：1个
型号：
CXDB4CBAM-EA-A
品牌：
长鑫
基础参数
产品名称：
LPDDR4X(低功耗双倍数据率第四代同步动态随机存取存储器
芯片容量：
2GB
封装形式：
200-Ball FBGA 15mm*10mm*0.77mm
工作频率：
4266(Mbps)
工作电压：
VDDi=1.8;VDp2=1.1;VpDo=0.6(典型值)
工作温度：
-40°C ~ +105°C
技术支持
样品申请
产品采购
替代型号
全国产DDR5：CXDR4E8BM-CN-A_IND_Screened_by_XHW
国产
型号：
CXDR4E8BM-CN-A_IND_Screened_by_XHW
品牌：
西安航空发动机微电子有限公司
封装：
82-FBGA
描述：
筛选工业档，-40℃~85℃，5600Mbps
替代型号：2个
型号：
CXDR4E8BM
品牌：
长鑫
型号：
CXDR4E8BM-CS-A
品牌：
长鑫
基础参数
产品名称 ：
DDR5(双倍数据率第五代动态随机存取存储器)
芯片容量 ：
2GB
封装形式 ：
82-ball FBGA 1lmm*9mm*lmm
工作频率 ：
4800(Mbps)/ 5600(Mbps)
工作电压 ：
Vop=1.1;VbDo=1.1;Vpp=1.8(典型值)
工作温度：
40°C~+85°C
技术支持
样品申请
产品采购
替代型号
全国产DDR4：XHWDQ3BFAM
国产
型号：
XHWDQ3BFAM
品牌：
西安航空发动机微电子有限公司
封装：
96-FBGA
描述：
N1档，-55℃-125℃，3200Mbps
替代型号：2个
型号：
SM40A512M16M
品牌：
Micron（镁光）
型号：
IS43QR16512A
品牌：
ISSI（芯成半导体）
基础参数
产品名称：
DDR4(第四代双倍数据率动态随机存取存储器)
芯片容量：
1GB
封装形式：
96-ball FBGA 13mm*7.5mm*1.2mm
工作频率：
2666(Mbps)/ 3200(Mbps)
工作电压：
VDD =VDDQ=1.2V(1.14V-1.26V);Vpp=2.5V (2.375V to 2.75V)
兼容型号：
IS43QR16512A/SM40A512M16M
工作温度：
-40°C ~ +95°C/-55°C ~+125°C
技术支持
样品申请
产品采购
替代型号
全国产DDR3：XHWP2BFLM
国产
型号：
XHWP2BFLM
品牌：
西安航空发动机微电子有限公司
封装：
96-FBGA
描述：
N1档，-55℃-125℃，1600Mbps
替代型号：2个
型号：
MT41K256M16HA
品牌：
美光
型号：
SM41J256M16EIP
品牌：
国微
基础参数
产品名称：
DDR3(第三代双倍数据速率同步动态随机存储器)
芯片容量：
512MB
封装形式：
96-ball FBGA13mm*7.5mm*1.2mm
工作频率：
1866(Mbps)/2133(Mbps)
工作电压：
1.35V(1.283V-1.45V)/向后兼1.5V
兼容型号：
MT41K256M16HA/SM41J256M16M
工作温度：
-40°C~+95°C/-55°C~+125°C
技术支持
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产品采购
替代型号
全国产化NOR FLASH
国产
型号：
HQ25Q256FSS
品牌：
江苏华起微电子有限公司
封装：
SOP8
描述：
存储容量：256Mb；接口：SPI；工作频率（MHz）：133；工作电压（V）：3.3
基础参数
技术支持
样品申请
产品采购
全国产化NOR FLASH
国产
型号：
HQ25Q128ELS
品牌：
江苏华起微电子有限公司
封装：
SOP8
描述：
存储容量：128Mb；接口：SPI；工作频率（MHz）：100；工作电压（V）：1.8
基础参数
技术支持
样品申请
产品采购
全国产化NOR FLASH
国产
型号：
HQ25Q128ESS
品牌：
江苏华起微电子有限公司
封装：
SOP8
描述：
存储容量：128Mb；接口：SPI；工作频率（MHz）：133；工作电压（V）：3.3
基础参数
技术支持
样品申请
产品采购
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